原型号
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Texas Instruments
- ISL6615AIBZRenesas Electronics Corporation相似型号
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原厂资料
2 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 资料 |
|---|---|---|---|
| TPS28226D | Texas Instruments |
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| TPS28226DRBT | Texas Instruments |
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第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
TPS28226D
Texas Instruments
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 8.8 V、工作电源电压 4～8.8 V、输出电流 6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate DriversTPS28226DR
Texas Instruments
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 8.8 V、工作电源电压 4～8.8 V、输出电流 6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate DriversTPS28226DRBR
Texas Instruments
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 8.8 V、工作电源电压 4～8.8 V、输出电流 6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SON-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate DriversTPS28226DRBT
Texas Instruments
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 8.8 V、工作电源电压 4～8.8 V、输出电流 6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SON-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate Drivers