TPIC46L02DB
Texas Instruments
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、输出电流 2.5 mA、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SSOP-28 封装。
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原厂资料
2 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 资料 |
|---|---|---|---|
| TPIC46L02DB | Texas Instruments |
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| TPIC46L02DBG4 | Texas Instruments |
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技术资料参考
芯片技术资料
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TPIC46L02DBG4
Texas Instruments
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 2.5 mA、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SSOP-28 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate DriversTPIC46L02DBR
Texas Instruments
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、特性 Diagnostics, Fault Protection, Pre-FET Driver、单件重量 0.025045 oz，采用 SSOP-28 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate DriversTPIC46L02DBRG4
Texas Instruments
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 Low Side、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、特性 Diagnostics, Fault Protection, Pre-FET Driver，采用 SSOP-28 封装。
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