TPIC44H01DA
Texas Instruments
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 3.2 mA、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si,采用 TSSOP-32 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate Drivers2 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 资料 |
|---|---|---|---|
| TPIC44H01DA | Texas Instruments |
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| TPIC44H01DAG4 | Texas Instruments |
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技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Texas Instruments
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 3.2 mA、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si,采用 TSSOP-32 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate DriversTexas Instruments
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、特性 Diagnostics, Fault Protection, Pre-FET Driver、湿敏性 是,采用 TSSOP-32 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate DriversTexas Instruments
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、特性 Diagnostics, Fault Protection, Pre-FET Driver、单件重量 0.006071 oz,采用 TSSOP-32 封装。
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