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Texas Instruments
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TPIC2603DW
Texas Instruments
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 350 mA、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-24 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate DriversTPIC2603DWG4
Texas Instruments
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5.5 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-24 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate DriversTPIC2603DWR
Texas Instruments
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 Low Side、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、特性 Diagnostics, Fault Protection, Integrated Power Controller，采用 SOIC-24 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate DriversTPIC2603DWRG4
Texas Instruments
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 Low Side、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、特性 Diagnostics, Fault Protection, Integrated Power Controller，采用 SOIC-24 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate Drivers