TIP32A
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 PBFREE TIP32A、单件重量 0.066668 oz，采用 TO-220-3 封装。
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芯片技术资料
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TIP32A SL
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTTIP32A-BP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、最大直流集电极电流 - 5 A、最大工作温度 + 150 C、连续集电极电流 - 3 A，采用 TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTTIP32AG
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1.2 V，采用 TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTTIP32AG
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTTIP32ATU
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、最大直流集电极电流 3 A，采用 TO-220-3 封装。
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