TIP120
STMicroelectronics
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、最大直流集电极电流 5 A，采用 TO-220-3 封装。
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TIP120
Rectron
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流电流增益（hFE） 100、连续集电极电流 5 A，采用 TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTTIP120-BP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 60 V、最大直流集电极电流 8 A、最大工作温度 + 150 C、连续集电极电流 5 A，采用 TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTTIP120G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、最大直流集电极电流 5 A，采用 TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington TransistorsTIP120TU
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、最大直流集电极电流 5 A，采用 TO-220AB 封装。
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