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Texas Instruments
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THS3062D
Texas Instruments
该型号为运算放大器，主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 30 V、电源电压（最小值） 10 V、工作电源电压 33 V、压摆率（SR） 7 kV/us、共模抑制比（CMRR） 60 dB to 72 dB，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > High Speed Operational AmplifiersTHS3062DDA
Texas Instruments
该型号为运算放大器，主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 30 V、电源电压（最小值） 10 V、工作电源电压 33 V、压摆率（SR） 7 kV/us、共模抑制比（CMRR） 60 dB to 72 dB，采用 SO-PowerPad-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > High Speed Operational AmplifiersTHS3062DDAG3
Texas Instruments
该型号为运算放大器，主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 30 V、电源电压（最小值） 10 V、工作电源电压 30、压摆率（SR） 7 kV/us、共模抑制比（CMRR） 60 dB to 72 dB，采用 SO-PowerPad-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > High Speed Operational AmplifiersTHS3062DGN
Texas Instruments
该型号为运算放大器，主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 30 V、电源电压（最小值） 10 V、工作电源电压 33 V、压摆率（SR） 7 kV/us、共模抑制比（CMRR） 60 dB to 72 dB，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > High Speed Operational AmplifiersTHS3062DGNG4
Texas Instruments
该型号为运算放大器，主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 30 V、电源电压（最小值） 10 V、工作电源电压 33 V、压摆率（SR） 7 kV/us、共模抑制比（CMRR） 60 dB to 72 dB，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > High Speed Operational Amplifiers