TH58NYG3S0HBAI6
Toshiba Memory
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、存储器类型 NAND、存储组织结构 1 G x 8，采用 VFBGA-67 封装。
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TH58NYG3S0HBAI6
Kioxia America
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous、存储组织结构 1 G x 8，采用 VFBGA-67 封装。
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