TGF2120
Qorvo
该型号为射频结型场效应晶体管,主要参数包括工作频率 20 GHz、技术 GaAs、晶体管类型 pHEMT、类型 GaAs pHEMT、增益 11 dB、漏源击穿电压(Vds) 8 V,采用 Die 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > 射频结型场效应晶体管技术资料参考
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Qorvo
该型号为射频结型场效应晶体管,主要参数包括工作频率 20 GHz、技术 GaAs、晶体管类型 pHEMT、类型 GaAs pHEMT、增益 11 dB、漏源击穿电压(Vds) 8 V,采用 Die 封装。
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