TD570N18KOFXPSA1
Infineon Technologies
该型号为半导体器件，主要参数包括技术 Si、产品 Thyristor-Diode Modules、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、原产国家或地区 德国、门极触发电流（Igt） 250 mA，采用 144 mm x 60 mm x 52 mm 封装。
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