原型号
查看详情 · 1 条候选TC58NYG0S3HBAI6
Kioxia America, Inc.
- TC58BYG0S3HBAI6Kioxia America, Inc.相似型号
搜索结果
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
TC58NYG0S3HBAI6
Toshiba Memory
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、存储器类型 NAND、存储组织结构 128 M x 8，采用 VFBGA-67 封装。
半导体 > Memory ICs > NAND FlashTC58NYG0S3HBAI6
Kioxia America
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-67 封装。
半导体 > Memory ICs > NAND Flash