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Kioxia America, Inc.
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TC58BVG1S3HTA00
Toshiba Memory
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储器类型 NAND、存储组织结构 256 M x 8，采用 TSOP-48 封装。
半导体 > Memory ICs > NAND FlashTC58BVG1S3HTA00
Kioxia America
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous、存储组织结构 256 M x 8，采用 TSOP-48 封装。
半导体 > Memory ICs > NAND Flash