SZMMSZ2V4T1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 2.4 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、稳压管电流 5 mA、稳压管阻抗（Zz） 100 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SOD-123 封装。
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原厂资料
1 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| SZMMSZ2V4T3G | onsemi |
| 2022-12-15 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
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SZMMSZ2V4T1G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 2.4 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 50 uA、稳压管阻抗（Zz） 100 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SOD-123-2 封装。
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