SZBZX84C3V9ET1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 3.9 V、耗散功率（Pd） 225 mW、电压温度系数 - 3.5 mV/K to - 2.5 mV/K、稳压管电流 3 uA、稳压管阻抗（Zz） 90 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOT-23-3 封装。
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SZBZX84C3V9ET1G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 3.9 V、耗散功率（Pd） 250 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 3 uA、稳压管阻抗（Zz） 90 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOT-23-3 封装。
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