SZBZX84C33ET3G
ON Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 33 V、耗散功率(Pd) 250 mW、电压温度系数 33.4 mV/K、稳压管电流 2 mA、稳压管阻抗(Zz) 80 Ω、最小工作温度 - 65 C,采用 SOT-23-3 封装。
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ON Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 33 V、耗散功率(Pd) 250 mW、电压温度系数 33.4 mV/K、稳压管电流 2 mA、稳压管阻抗(Zz) 80 Ω、最小工作温度 - 65 C,采用 SOT-23-3 封装。
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该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 33 V、耗散功率(Pd) 250 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流(Ir) 50 nA、稳压管阻抗(Zz) 80 Ω、最小工作温度 - 65 C,采用 SOT-23-3 封装。
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