STL13N60M6
STMicroelectronics
主要参数包括通道数 1 个通道、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 600 V、连续漏极电流(Id) 7 A、漏源导通电阻(Rds On) 415 mOhms,采用 PowerFLAT5x6-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
STMicroelectronics
主要参数包括通道数 1 个通道、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 600 V、连续漏极电流(Id) 7 A、漏源导通电阻(Rds On) 415 mOhms,采用 PowerFLAT5x6-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET