STGWA40H65DFB2
STMicroelectronics
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 650 V、集电极－发射极饱和电压 1.55 V、最大栅射电压 20 V、25°C 时连续集电极电流 72 A，采用 TO-247-3 封装。
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