STGWA30M65DF2STMicroelectronics该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、单件重量 0.070548 oz。半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT Transistors查看技术资料
STGWA30M65DF2AGSTMicroelectronics主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 650 V、集电极-发射极饱和电压 2.02 V、最大栅射电压 20 V、25°C 时连续集电极电流 87 A,采用 TO-247-3 封装。半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBTs查看技术资料