STGAP2SICS
STMicroelectronics
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、输出电流 4 A、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge、隔离电压 5 kV，采用 SO-8W 封装。
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STGAP2SICSAC
STMicroelectronics
主要参数包括隔离电压 5 kV、认证等级 AEC-Q100、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。
半导体 > Power Management ICs > Galvanically Isolated Gate DriversSTGAP2SICSACTR
STMicroelectronics
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 3.1 V、最大连续输出电流 4 A、输出电流 4 A、技术 碳化硅（SiC），采用 SO-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Galvanically Isolated Gate DriversSTGAP2SICSANC
STMicroelectronics
主要参数包括认证等级 AEC-Q100、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。
半导体 > Power Management ICs > Galvanically Isolated Gate DriversSTGAP2SICSANCTR
STMicroelectronics
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 3.1 V、最大连续输出电流 4 A、输出电流 4 A、技术 碳化硅（SiC），采用 SO-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Galvanically Isolated Gate DriversSTGAP2SICSC
STMicroelectronics
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、输出电流 4 A、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge、隔离电压 5 kV，采用 SO-8W 封装。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Galvanically Isolated Gate DriversSTGAP2SICSCTR
STMicroelectronics
主要参数包括隔离电压 5 kV、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Galvanically Isolated Gate DriversSTGAP2SICSNCTR
STMicroelectronics
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Galvanically Isolated Gate DriversSTGAP2SICSNTR
STMicroelectronics
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3.1 V、输出电流 4 A、技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Galvanically Isolated Gate DriversSTGAP2SICSTR
STMicroelectronics
主要参数包括隔离电压 5 kV、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Galvanically Isolated Gate Drivers