STAC2933
STMicroelectronics
该型号为晶体管,主要参数包括工作频率 30~175 MHz、技术 Si、连续漏极电流(Id) 40 A、漏源击穿电压(Vds) 130 V、增益 23.5 dB、输出功率 400 W,采用 STAC177B 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > RF MOSFET Transistors技术资料参考
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STMicroelectronics
该型号为晶体管,主要参数包括工作频率 30~175 MHz、技术 Si、连续漏极电流(Id) 40 A、漏源击穿电压(Vds) 130 V、增益 23.5 dB、输出功率 400 W,采用 STAC177B 封装。
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