ST16010
STMicroelectronics
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 930 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 90 V，采用 MM-2 封装。
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芯片技术资料
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FST160100
GeneSiC Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 160 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 0.88 V，采用 TO-249AB 封装。
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