SSM2212RZ
Analog Devices
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、集电极－发射极饱和电压 200 mV、最大直流集电极电流 20 mA，采用 SOIC-8 封装。
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SSM2212RZ-R7
Analog Devices
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、最大直流集电极电流 0.02 A、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-8 封装。
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该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、最大直流集电极电流 0.02 A、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-8 封装。
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