SPA11N80C3
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 800 V、连续漏极电流（Id） 11 A，采用 PG-TO-220FP-3 封装。
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SPA11N80C3XKSA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 800 V、连续漏极电流（Id） 11 A，采用 TO-220FP-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSPA11N80C3XKSA2
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、高度 16.15 mm、长度 10.65 mm、宽度 4.85 mm、型号别名 SP000216321 SPA11N80C3、单件重量 0.211644 oz，采用 TO-220FP-3 封装。
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