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来源：第三方数据源非原厂公告

5 个原型号
原型号

74CBTLV3125PGG8

Renesas Electronics Corporation

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  • SN74CBTLV3125DGVRTexas Instruments相似型号
原型号

PI3B3125LE

Diodes Incorporated

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  • SN74CBTLV3125DGVRTexas Instruments相似型号
原型号

PI3B3125WEX

Diodes Incorporated

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  • SN74CBTLV3125DTexas Instruments相似型号
原型号

PI3C3126QEX

Diodes Incorporated

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  • SN74CBTLV3125DBQRTexas Instruments参数相近
原型号

SN74CBTLV3125NSRG4

Texas Instruments

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  • SN74CBTLV3125DRTexas Instruments相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

4 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

SN74CBTLV3125D

Texas Instruments

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 SOIC-14 封装。

半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Digital Bus Switch ICs
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SN74CBTLV3125DBQR

Texas Instruments

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 SSOP-16 封装。

半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Digital Bus Switch ICs
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SN74CBTLV3125DGVR

Texas Instruments

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TVSOP-14 封装。

半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Digital Bus Switch ICs
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SN74CBTLV3125DR

Texas Instruments

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 SOIC-14 封装。

半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Digital Bus Switch ICs
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