SMP1100SCMC
STMicroelectronics
主要参数包括转折电压(VBO) 130 V、非重复通态电流 61 A、VDRM 下断态漏电流(IDRM) 5 uA、最大维持电流(Ih) 150 mA、通态电压 3 V、断态电容(CO) 75 pF,采用 DO-214AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > Thyristor Surge Protection Devices (TSPD)技术资料参考
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主要参数包括转折电压(VBO) 130 V、非重复通态电流 61 A、VDRM 下断态漏电流(IDRM) 5 uA、最大维持电流(Ih) 150 mA、通态电压 3 V、断态电容(CO) 75 pF,采用 DO-214AA-2 封装。
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