SMMUN2238LT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、最小直流电流增益（hfe） 160、耗散功率（Pd） 246 mW、认证等级 AEC-Q101，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
SMMUN2238LT1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、耗散功率（Pd） 246 mW、认证等级 AEC-Q100、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT