SMMUN2111LT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、集电极－发射极饱和电压 0.25 V、最小工作温度 - 55 C，采用 SOT-23-3 封装。
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原厂资料
1 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| SMMUN2111LT1G-M01 | onsemi |
| 2022-09-30 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
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SMMUN2111LT1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 35 at 5 mA, 10 V、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V，采用 SOT-23-3 封装。
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