SMA39
MACOM
RF Amplifier 10-2000MHz NF 8.5dB Gain 7.5dB
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier技术资料参考
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MACOM
RF Amplifier 10-2000MHz NF 8.5dB Gain 7.5dB
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierEaton Electronics
该型号为二极管,主要参数包括极性 Unidirectional、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、钳位电压 53.9 V、峰值脉冲耗散功率(Pppm) 400 W、原产国家或地区 中国、单件重量 26.455 lbs,采用 SMA (DO-214AC) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Transient Voltage Suppression Diodes - TVSBourns
该型号为二极管,主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Bidirectional、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、击穿电压 39 V、工作电压 33.3 V、峰值脉冲耗散功率(Pppm) 400 W,采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD SuppressorsVishay Semiconductors
该型号为二极管,主要参数包括极性 Bidirectional、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、击穿电压 37.1 V、工作电压 33.3 V、钳位电压 53.9 V、峰值脉冲耗散功率(Pppm) 400 W,采用 DO-214AC-2 (SMA) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD SuppressorsDiotec Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 39 V、耗散功率(Pd) 1.5 W、电压容差 5 %、最大反向漏电流(Ir) 1 uA、稳压管阻抗(Zz) 50 Ω、最小工作温度 - 50 C,采用 DO-214AC-2 封装。
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