SMA36
MACOM
RF Amplifier 10-2000MHz NF 5.5dB Gain 16.5dB
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芯片技术资料
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SMA36-1
MACOM
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierSMA36-2
MACOM
RF Amplifier 10-2600MHz NF 7.0dB Gain 15.0dB
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierP4SMA36A
Eaton Electronics
该型号为二极管，主要参数包括极性 Unidirectional、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、钳位电压 49.9 V、峰值脉冲耗散功率（Pppm） 400 W、原产国家或地区 中国、单件重量 26.455 lbs，采用 SMA (DO-214AC) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Transient Voltage Suppression Diodes - TVSP4SMA36CA
Littelfuse
该型号为二极管，主要参数包括极性 Bidirectional、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、击穿电压 37.8 V、工作电压 30.8 V、钳位电压 49.9 V、峰值脉冲电流（Ipp） 8.2 A，采用 DO-214AC-2 (SMA) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD SuppressorsTPSMA36AHE3_B/H
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Unidirectional、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、击穿电压 37.8 V、钳位电压 49.9 V、峰值脉冲电流（Ipp） 8 A，采用 DO-214AC-2 (SMA) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD SuppressorsZ1SMA36
Diotec Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 36 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 40 Ω、最小工作温度 - 50 C，采用 DO-214AC-2 封装。
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