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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

1 个原型号

原型号

SM502GE08LF02-AC

Silicon Motion, Inc.

查看详情 · 1 条候选

SM502GX08LF02-ACSilicon Motion, Inc.直接替代候选

技术资料参考

芯片技术资料

53 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

SM50

Semtech

主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 5 kV、正向电流（If） 300 mA、配置 Single、正向电压（Vf） 10 V、最大浪涌电流 25 A。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers

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SM5059

Diotec Semiconductor

主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifier、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DO-213AB 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers

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SM5060

Diotec Semiconductor

主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifier、反向电压（Vr） 400 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DO-213AB 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers

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SM5061

Diotec Semiconductor

主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifier、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DO-213AB 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers

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SM5062

Diotec Semiconductor

主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifier、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DO-213AB 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers

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SM5063

Diotec Semiconductor

主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifier、反向电压（Vr） 1 kV、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DO-213AB 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers

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BSM50GAL120DN2

Infineon Technologies

主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 Half Bridge、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1200 V、集电极－发射极饱和电压 2.5 V、25°C 时连续集电极电流 78 A，采用 Half Bridge GAL 1 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT Modules

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BSM50GB120DLC

Infineon Technologies

主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1200 V、集电极－发射极饱和电压 2.4 V、25°C 时连续集电极电流 115 A，采用 32 mm 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT Modules

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BSM50GB120DN2

Infineon Technologies

主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 Half Bridge、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1200 V、集电极－发射极饱和电压 2.5 V、25°C 时连续集电极电流 78 A，采用 Half Bridge1 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT Modules

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BSM50GB60DLC

Infineon Technologies

主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 600 V、集电极－发射极饱和电压 2.2 V、25°C 时连续集电极电流 75 A，采用 32 mm 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT Modules

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