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原厂资料

2 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
FSL3276ALRNonsemi
  • FSL306LRN
2021-01-29查看资料
NCP1060AP060Gonsemi
  • FSL306LRN
2021-01-29查看资料

第三方参考

来源:第三方数据源非原厂公告

1 个原型号
原型号

ISL3036EIRUZ-T7A

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 3 条候选
  • NTS0104BQ,115NXP USA Inc.相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

27 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

SL30

Advanced Photonix

该型号为传感器,主要参数包括产品 Linear Position Sensors、最大工作温度 + 60 C、最小工作温度 - 10 C、测量对象 Linear Position、原产国家或地区 美国。

半导体 > Sensor ICs > Board Mount Motion & Position Sensors
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SL3007-TP

Micro Commercial Components (MCC)

主要参数包括原产国家或地区 TH、单件重量 0.000282 oz。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs
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02SSL30

Rectron

该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流(If) 200 mA、重复反向电压(Vrrm) 30 V、正向电压(Vf) 0.28 V、正向浪涌电流(Ifsm) 60 A,采用 SOD-123F-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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02SSL30L

Rectron

该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流(If) 200 mA、重复反向电压(Vrrm) 30 V、正向电压(Vf) 0.28 V、正向浪涌电流(Ifsm) 60 A,采用 SOD-123F-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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2SSL30

Rectron

该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流(If) 2 A、重复反向电压(Vrrm) 30 V、正向电压(Vf) 0.42 V、正向浪涌电流(Ifsm) 60 A,采用 SOD-123F-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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2SSL30L

Rectron

该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流(If) 2 A、重复反向电压(Vrrm) 30 V、正向电压(Vf) 0.42 V、正向浪涌电流(Ifsm) 60 A,采用 SOD-123F-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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ATMSL3085BT

Microchip Technology / Atmel

主要参数包括通道数 8 个通道、适用器件 White LEDs。

半导体 > 集成电路 > Driver ICs > LED Lighting Drivers
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AUIRGSL30B60K

Infineon Technologies

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 600 V、集电极-发射极饱和电压 2.35 V、最大栅射电压 20 V、25°C 时连续集电极电流 78 A,采用 TO-262-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT Transistors
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BSL302SNH6327XTSA1

Infineon Technologies

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 30 V、连续漏极电流(Id) 7.1 A,采用 PG-TSOP-6 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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BSL303SPEH6327XTSA1

Infineon Technologies

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压(Vds) 30 V、连续漏极电流(Id) 6.3 A,采用 TSOP-6 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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