SID1152K
Power Integrations
主要参数包括电源电压(最小值) 4.75 V, 22 V、电源电压(最大值) 5.25 V, 28 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 Inverting、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers,采用 eSOP-R16B 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate Drivers技术资料参考
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主要参数包括电源电压(最小值) 4.75 V, 22 V、电源电压(最大值) 5.25 V, 28 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 Inverting、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers,采用 eSOP-R16B 封装。
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主要参数包括电源电压(最小值) 4.75 V, 22 V、电源电压(最大值) 5.25 V, 28 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 Inverting、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers,采用 eSOP-R16B 封装。
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