ChipSourceHub 美芯科技
English发起询盘

搜索结果

原厂资料

4 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
SD103BW-7-F-2477Diodes Incorporated
  • SD103BW-7-F
2023-05-15查看资料
SD103BWS-7-F-2477Diodes Incorporated
  • SD103BWS-7-F
2023-05-15查看资料
SD103BW-7-F-79Diodes Incorporated
  • SD103BW-7-F
2020-05-28查看资料
SD103BWS-7-F-79Diodes Incorporated
  • SD103BWS-7-F
2020-05-28查看资料

技术资料参考

芯片技术资料

35 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

SD103BW

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 125 C、技术 Si、类型 Small Signal Schottky Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 0.35 A、重复反向电压（Vrrm） 30 V，采用 SOD-123F-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
查看技术资料

SD103BW

Diotec Semiconductor

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、配置 Single、正向电流（If） 350 mA、重复反向电压（Vrrm） 30 V、正向电压（Vf） 600 mV，采用 SOD-123F 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
查看技术资料

SD103BW RHG

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管，采用 SOD-123-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
查看技术资料

SD103BW-7-F

Diodes Incorporated

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 125 C、技术 Si、类型 Schottky Barrier Switching Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 350 mA、重复反向电压（Vrrm） 30 V，采用 SOD-123 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
查看技术资料

SD103BW-E3-08

Vishay Semiconductors

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 125 C、技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 350 mA、重复反向电压（Vrrm） 30 V、正向电压（Vf） 600 mV，采用 SOD-123 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
查看技术资料

SD103BW-E3-18

Vishay Semiconductors

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 125 C、技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 350 mA、重复反向电压（Vrrm） 30 V、正向电压（Vf） 600 mV，采用 SOD-123 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
查看技术资料

SD103BW-G3-08

Vishay Semiconductors

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 125 C、技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 350 mA、重复反向电压（Vrrm） 30 V、正向电压（Vf） 600 mV，采用 SOD-123 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
查看技术资料

SD103BW-G3-18

Vishay Semiconductors

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 125 C、技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 350 mA、重复反向电压（Vrrm） 30 V、正向电压（Vf） 600 mV，采用 SOD-123 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
查看技术资料

SD103BW-HE3-08

Vishay Semiconductors

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 125 C、技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 350 mA、重复反向电压（Vrrm） 30 V、正向电压（Vf） 600 mV，采用 SOD-123 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
查看技术资料

SD103BW-HE3-18

Vishay Semiconductors

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 125 C、技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 350 mA、重复反向电压（Vrrm） 30 V、正向电压（Vf） 600 mV，采用 SOD-123 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
查看技术资料