SBRA8160T3G
ON Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、正向电流(If) 1 A、重复反向电压(Vrrm) 60 V、正向电压(Vf) 720 mV、正向浪涌电流(Ifsm) 40 A、反向电流(Ir) 5 mA。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers1 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| SBRA8160T3G | onsemi |
| 2020-02-21 | 查看资料 |
技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
ON Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、正向电流(If) 1 A、重复反向电压(Vrrm) 60 V、正向电压(Vf) 720 mV、正向浪涌电流(Ifsm) 40 A、反向电流(Ir) 5 mA。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersON Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流(If) 1 A、重复反向电压(Vrrm) 60 V、正向电压(Vf) 0.72 V、正向浪涌电流(Ifsm) 40 A,采用 SMA-2 封装。
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