SBR4
Semtech
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 1.5 A、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1.1 V。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers20 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| SBR40U200CTB | Diodes Incorporated |
| 2025-07-23 | 查看资料 |
| SBR40U100CT-01 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR40U100CT-01-2084 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR40U100CT-2223 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR40U100CT-G-2223 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR40U120CT-2223 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR40U120CT-E1 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR40U120CT-G-2223 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR40U150CT-2223 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR40U150CT-G-2223 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR40U45CT-2223 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR40U45CT-G-2223 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR40U60CT-2223 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR40U60CT-G-2223 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR40U60CTE-2223 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR40100CTFP-JT | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| SBR40150CTFP | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| SBR40150CTFP-JT | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| SBR4060CTFP-JT | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| SBR40U100CT-E1 | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Semtech
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 1.5 A、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1.1 V。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersDiodes Incorporated
该型号为二极管,主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 175 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流(If) 40 A、重复反向电压(Vrrm) 100 V,采用 TO-220AB-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersDiodes Incorporated
该型号为二极管,主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 175 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流(If) 40 A、重复反向电压(Vrrm) 100 V,采用 ITO-220FP-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersDiodes Incorporated
该型号为二极管,主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 175 C、技术 Si、类型 Switching Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流(If) 40 A、重复反向电压(Vrrm) 150 V,采用 TO-220AB-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersDiodes Incorporated
该型号为二极管,主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 175 C、技术 Si、类型 Switching Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流(If) 40 A、重复反向电压(Vrrm) 150 V,采用 ITO-220FP-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersDiodes Incorporated
该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、原产国家或地区 中国,采用 ITO-220FP-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersDiodes Incorporated
该型号为二极管,主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流(If) 40 A、重复反向电压(Vrrm) 40 V,采用 TO-220AB-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersDiodes Incorporated
该型号为二极管,主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流(If) 40 A、重复反向电压(Vrrm) 40 V,采用 ITO-220FP-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersDiodes Incorporated
该型号为二极管,主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、类型 Switching Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流(If) 40 A、重复反向电压(Vrrm) 45 V,采用 TO-220AB-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersDiodes Incorporated
该型号为二极管,主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、类型 Switching Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流(If) 40 A、重复反向电压(Vrrm) 45 V,采用 ITO-220FP-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers