SBR30A60CTB
Diodes Incorporated
该型号为二极管,主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流(If) 30 A、重复反向电压(Vrrm) 60 V,采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers1 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| SBR30A60CTB | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Diodes Incorporated
该型号为二极管,主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流(If) 30 A、重复反向电压(Vrrm) 60 V,采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersDiodes Incorporated
该型号为二极管,主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流(If) 30 A、重复反向电压(Vrrm) 60 V、正向电压(Vf) 0.56 V,采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersDiodes Incorporated
该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流(If) 30 A、重复反向电压(Vrrm) 60 V、正向电压(Vf) 0.56 V、正向浪涌电流(Ifsm) 180 A,采用 TO-263-3 封装。
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