SBR30A60CT
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、类型 Super Barrier Rectifier、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 30 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V，采用 TO-220AB-3 封装。
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SBR30A60CT-G
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、端接方式 Solder Pin，采用 TO-220AB-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSBR30A60CTB
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 30 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V，采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSBR30A60CTB-13
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 30 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V、正向电压（Vf） 0.56 V，采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSBR30A60CTBQ-13
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 30 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V、正向电压（Vf） 0.56 V、正向浪涌电流（Ifsm） 180 A，采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSBR30A60CTFP
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 30 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V，采用 ITO-220FP-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSBR30A60CTFP-G
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、端接方式 Solder Pin，采用 ITO-220FP-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers