SBR20A200CT
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 175 C、技术 Si、类型 Switching Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 20 A、重复反向电压（Vrrm） 200 V，采用 TO-220AB-3 封装。
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原厂资料
1 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| SBR20A200CTB | Diodes Incorporated |
| 2025-07-23 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
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SBR20A200CTB
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、类型 Switching Diode、正向电流（If） 20 A、正向电压（Vf） 0.96 V、配置 Dual Common Cathode、反向电流（Ir） 100 uA，采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSBR20A200CTB-13
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、类型 Switching Diode、正向电流（If） 20 A、正向电压（Vf） 0.96 V、配置 Dual Common Cathode、反向电流（Ir） 100 uA，采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSBR20A200CTFP
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 175 C、技术 Si、类型 Switching Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 20 A、重复反向电压（Vrrm） 200 V，采用 ITO-220FP-3 封装。
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