SBR20A100CT
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 175 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、正向电流（If） 20 A、正向电压（Vf） 850 mV、配置 Dual Common Cathode，采用 TO-220AB-3 封装。
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原厂资料
3 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| SBR20A100CT-E1 | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| SBR20A100CTB | Diodes Incorporated |
| 2025-07-23 | 查看资料 |
| SBR20A100CTFP-JT | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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SBR20A100CTB-13
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si，采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSBR20A100CTE
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、正向电流（If） 20 A、正向电压（Vf） 750 mV、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 175 C、端接方式 Solder Pin，采用 TO-262-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSBR20A100CTFP
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 175 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 20 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V，采用 ITO-220FP-3 封装。
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