SBR05
Semtech
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 1.5 A、峰值反向电压 50 V、正向电压(Vf) 1.1 V。
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Semtech
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 1.5 A、峰值反向电压 50 V、正向电压(Vf) 1.1 V。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersDiodes Incorporated
主要参数包括组装国家或地区 中国、原产国家或地区 中国、产品 Rectifiers。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersDiodes Incorporated
该型号为二极管,主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、重复反向电压(Vrrm) 60 V、正向电压(Vf) 0.44 V、正向浪涌电流(Ifsm) 15 A,采用 SOD-123-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersDiodes Incorporated
该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流(If) 500 mA、重复反向电压(Vrrm) 60 V、正向电压(Vf) 0.44 V、正向浪涌电流(Ifsm) 15 A,采用 SOD-123-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersDiodes Incorporated
该型号为二极管,主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Rectifiers、正向电流(If) 500 mA、重复反向电压(Vrrm) 100 V,采用 V-DFN5060-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersDiodes Incorporated
该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、正向电流(If) 500 mA、正向电压(Vf) 490 mV、配置 Quad、反向电流(Ir) 100 uA、最小工作温度 - 55 C,采用 V-DFN5060-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersDiodes Incorporated
该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、类型 Switching Diode、正向电流(If) 500 mA、正向电压(Vf) 0.5 V、配置 Single、最小工作温度 - 65 C,采用 DFN-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersDiodes Incorporated
该型号为二极管,主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流(If) 500 mA、重复反向电压(Vrrm) 20 V,采用 X2-DFN1006-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersDiodes Incorporated
该型号为二极管,主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流(If) 500 mA、重复反向电压(Vrrm) 20 V,采用 SC-59-3 封装。
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