SBC857CLT1GON Semiconductor该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP、认证等级 AEC-Q101。半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT查看技术资料
SBC857CLT1Gonsemi该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极-发射极电压(VCEO) 45 V、集电极-基极电压(VCBO) 50 V,采用 SOT-23-3 封装。半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT查看技术资料