SBC856BLT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 100 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 220、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、连续集电极电流 0.1 A，采用 SOT-23-3 封装。
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SBC856BLT1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 100 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 220、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。
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