S80F
Diotec Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 800 mA、峰值反向电压 160 V、正向电压（Vf） 1.3 V，采用 TO-269AA-4 封装。
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技术资料参考
芯片技术资料
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LE25S80FDTWG
ON Semiconductor
主要参数包括湿敏性 是。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashS29GL064S80FHIV10
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 BGA-64 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashS29GL064S80FHIV20
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 BGA-64 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashS29GL064S80FHV010
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 BGA-64 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashS29GL064S80FHV020
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 BGA-64 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashS29GL064S80FHV030
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 BGA-64 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashS29GL064S80FHV040
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 BGA-64 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR Flash