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原型号	制造商	资料列出的替代型号	公告记录日期	资料
71V67903S80PFG	Renesas	71V67903S80BG	2022-02-28	查看资料
71V67903S80PFG8	Renesas	71V67903S80BG8	2022-02-28	查看资料
71V67903S80PFGI	Renesas	71V67903S80BQI	2022-02-28	查看资料
71V67903S80PFGI8	Renesas	71V67903S80BQI8	2022-02-28	查看资料
ADXRS300WABGZA-RL	Analog Devices	ADXRS800WBRGZ-RL	2018-02-23	查看资料
42019293	Infineon	S29GL064S80DHB020		查看资料
7GA6Y0020	Infineon	S29GL064S80TFB040		查看资料
A2C00045435A	Infineon	S29GL064S80BHB043		查看资料
A2C00045440A	Infineon	S29GL064S80BHB043		查看资料
FSS804-TL-E	onsemi	NTMS4802N		查看资料
MPS8098G	onsemi	MPS8099G		查看资料
MPS8099RLRMG	onsemi	MPS8099RLRAG		查看资料
STPS1045HR	STMicroelectronics	STPS80A45CHR		查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

49 个原型号

原型号

71V2546S100PFG

Renesas Electronics Corporation

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71V547S80PFGRenesas Electronics Corporation相似型号

原型号

71V2546S133PFG

Renesas Electronics Corporation

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71V547S80PFGRenesas Electronics Corporation相似型号

原型号

71V2556S100PFGI

Renesas Electronics Corporation

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71V547S80PFGIRenesas Electronics Corporation相似型号

原型号

71V2556S166PFG

Renesas Electronics Corporation

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71V547S80PFGRenesas Electronics Corporation相似型号

原型号

71V25761S183PFGI

Renesas Electronics Corporation

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71V3577S80PFGIRenesas Electronics Corporation相似型号

原型号

71V3557S80PFGI

Renesas Electronics Corporation

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71V2556S150PFGIRenesas Electronics Corporation相似型号

原型号

71V35761S166BG

Renesas Electronics Corporation

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71V3577S80BGIRenesas Electronics Corporation相似型号

原型号

71V35761S166PFGI

Renesas Electronics Corporation

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71V3577S80PFGIRenesas Electronics Corporation相似型号

原型号

71V35761S183BGI

Renesas Electronics Corporation

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71V3577S80BGIRenesas Electronics Corporation相似型号

原型号

71V3577S75BGI

Renesas Electronics Corporation

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71V3577S80BGIRenesas Electronics Corporation相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

649 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

S80

Diotec Semiconductor

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 800 mA、峰值反向电压 160 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 TO-269AA-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers

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S8006DRP

Littelfuse

主要参数包括类型 Sensitive SCRs、最大转折电流（IBO） 100 A、额定重复断态电压（VDRM） 800 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 10 uA、通态有效值电流（It RMS） 6 A、正向电压（Vf） 1.6 V，采用 DPAK-2 (TO-252-2) 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRs

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S8006DTP

Littelfuse

主要参数包括类型 SCRs、最大转折电流（IBO） 100 A、额定重复断态电压（VDRM） 800 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 10 uA、通态有效值电流（It RMS） 6 A、正向电压（Vf） 1.6 V，采用 DPAK-2 (TO-252-2) 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRs

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S8006L

Littelfuse

主要参数包括类型 SCRs、最大转折电流（IBO） 100 A、额定重复断态电压（VDRM） 800 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 10 uA、通态有效值电流（It RMS） 6 A、正向电压（Vf） 1.6 V，采用 TO-220-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRs

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S8006LTP

Littelfuse

主要参数包括VDRM 下断态漏电流（IDRM） 10 uA，采用 TO-220-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRs

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S8006NRP

Littelfuse

主要参数包括额定重复断态电压（VDRM） 800 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 10 uA、通态有效值电流（It RMS） 6 A、门极触发电压（Vgt） 1.5 V、门极触发电流（Igt） 15 mA、最大维持电流（Ih） 30 mA，采用 D2PAK-2 (TO-263-2) 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRs

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S8006NTP

Littelfuse

采用 D2PAK-2 (TO-263-2) 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRs

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S8006RTP

Littelfuse

主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 125 C、类型 Standard SCRs、额定重复断态电压（VDRM） 800 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 10 uA、通态有效值电流（It RMS） 6 A、正向电压（Vf） 1.6 V，采用 TO-220-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRs

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S8006VTP

Littelfuse

主要参数包括类型 SCRs、最大转折电流（IBO） 100 A、额定重复断态电压（VDRM） 800 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 10 uA、通态有效值电流（It RMS） 6 A、正向电压（Vf） 1.6 V，采用 TO-251-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRs

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S8008DRP

Littelfuse

主要参数包括类型 Sensitive SCRs、最大转折电流（IBO） 100 A、额定重复断态电压（VDRM） 800 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 10 uA、通态有效值电流（It RMS） 8 A、正向电压（Vf） 1.6 V，采用 DPAK-2 (TO-252-2) 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRs

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