原型号
查看详情 · 18 条候选PI2EQX6814NJE
Diodes Incorporated
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- DS80PCI402SQE/NOPBTexas Instruments相似型号
搜索结果
原厂资料
13 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| 71V67903S80PFG | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 71V67903S80PFG8 | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 71V67903S80PFGI | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 71V67903S80PFGI8 | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| ADXRS300WABGZA-RL | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| 42019293 | Infineon |
| 查看资料 | |
| 7GA6Y0020 | Infineon |
| 查看资料 | |
| A2C00045435A | Infineon |
| 查看资料 | |
| A2C00045440A | Infineon |
| 查看资料 | |
| FSS804-TL-E | onsemi |
| 查看资料 | |
| MPS8098G | onsemi |
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| MPS8099RLRMG | onsemi |
| 查看资料 | |
| STPS1045HR | STMicroelectronics |
| 查看资料 |
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 18 条候选PI2EQX6814NJEX
Diodes Incorporated
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- DS80PCI402SQE/NOPBTexas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 1 条候选S29AL008J70BAN020
Infineon Technologies
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- S29GL064S80BHB040Infineon Technologies第三方标注：厂商推荐
原型号
查看详情 · 1 条候选S29AL016J70FFM023
Infineon Technologies
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- S29GL064S80DHB023Infineon Technologies第三方标注：厂商推荐
原型号
查看详情 · 1 条候选S29CD016J0MQFM030
Infineon Technologies
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- S29GL064S80BHB040Infineon Technologies第三方标注：厂商推荐
原型号
查看详情 · 1 条候选S80KS2562GABHV023
Infineon Technologies
- S80KS2562GABHB023Infineon Technologies参数相近
原型号
查看详情 · 1 条候选TLS805B1LDV33XUMA1
Infineon Technologies
- TLS810B1LDV33XUMA1Infineon Technologies相似型号
原型号
查看详情 · 1 条候选TLS805B1LDVXUMA1
Infineon Technologies
- TLS805B1SJVXUMA1Infineon Technologies相似型号
原型号
查看详情 · 1 条候选TS80C31X2-VIA
Microchip Technology
- AT89S51-24PUMicrochip Technology相似型号
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
S80
Diotec Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 800 mA、峰值反向电压 160 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 TO-269AA-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersS8006DRP
Littelfuse
主要参数包括类型 Sensitive SCRs、最大转折电流（IBO） 100 A、额定重复断态电压（VDRM） 800 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 10 uA、通态有效值电流（It RMS） 6 A、正向电压（Vf） 1.6 V，采用 DPAK-2 (TO-252-2) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRsS8006DTP
Littelfuse
主要参数包括类型 SCRs、最大转折电流（IBO） 100 A、额定重复断态电压（VDRM） 800 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 10 uA、通态有效值电流（It RMS） 6 A、正向电压（Vf） 1.6 V，采用 DPAK-2 (TO-252-2) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRsS8006L
Littelfuse
主要参数包括类型 SCRs、最大转折电流（IBO） 100 A、额定重复断态电压（VDRM） 800 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 10 uA、通态有效值电流（It RMS） 6 A、正向电压（Vf） 1.6 V，采用 TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRsS8006LTP
Littelfuse
主要参数包括VDRM 下断态漏电流（IDRM） 10 uA，采用 TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRsS8006NRP
Littelfuse
主要参数包括额定重复断态电压（VDRM） 800 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 10 uA、通态有效值电流（It RMS） 6 A、门极触发电压（Vgt） 1.5 V、门极触发电流（Igt） 15 mA、最大维持电流（Ih） 30 mA，采用 D2PAK-2 (TO-263-2) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRsS8006NTP
Littelfuse
采用 D2PAK-2 (TO-263-2) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRsS8006RTP
Littelfuse
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 125 C、类型 Standard SCRs、额定重复断态电压（VDRM） 800 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 10 uA、通态有效值电流（It RMS） 6 A、正向电压（Vf） 1.6 V，采用 TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRsS8006VTP
Littelfuse
主要参数包括类型 SCRs、最大转折电流（IBO） 100 A、额定重复断态电压（VDRM） 800 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 10 uA、通态有效值电流（It RMS） 6 A、正向电压（Vf） 1.6 V，采用 TO-251-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRsS8008DRP
Littelfuse
主要参数包括类型 Sensitive SCRs、最大转折电流（IBO） 100 A、额定重复断态电压（VDRM） 800 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 10 uA、通态有效值电流（It RMS） 8 A、正向电压（Vf） 1.6 V，采用 DPAK-2 (TO-252-2) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRs