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原厂资料

13 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
71V67903S80PFGRenesas
  • 71V67903S80BG
2022-02-28查看资料
71V67903S80PFG8Renesas
  • 71V67903S80BG8
2022-02-28查看资料
71V67903S80PFGIRenesas
  • 71V67903S80BQI
2022-02-28查看资料
71V67903S80PFGI8Renesas
  • 71V67903S80BQI8
2022-02-28查看资料
ADXRS300WABGZA-RLAnalog Devices
  • ADXRS800WBRGZ-RL
2018-02-23查看资料
42019293Infineon
  • S29GL064S80DHB020
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7GA6Y0020Infineon
  • S29GL064S80TFB040
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A2C00045435AInfineon
  • S29GL064S80BHB043
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A2C00045440AInfineon
  • S29GL064S80BHB043
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FSS804-TL-Eonsemi
  • NTMS4802N
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MPS8098Gonsemi
  • MPS8099G
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MPS8099RLRMGonsemi
  • MPS8099RLRAG
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STPS1045HRSTMicroelectronics
  • STPS80A45CHR
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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

49 个原型号
原型号

71V3577S80BQ8

Renesas Electronics Corporation

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  • IS64LF12836A-7.5B3LA3-TRISSI, Integrated Silicon Solution Inc相似型号
原型号

71V546S100PFG

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V547S80PFGRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V546S133PFGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V547S80PFGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V547S100PFG

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 14 条候选

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  • 71V547S80PFGRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V547S80PFG8

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V547S100PFGI8Renesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V65603S133BG8

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V65703S80BG8Renesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V65703S80BQ8

Renesas Electronics Corporation

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  • IS64LF25636A-7.5B3LA3-TRISSI, Integrated Silicon Solution Inc相似型号
原型号

71V65703S80PFG8

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V65603S100PFG8Renesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V67703S80BQG8

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V67703S75BQGI8Renesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V67703S80PFGI8

Renesas Electronics Corporation

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  • IS61LPD25636A-200TQLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution Inc相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

649 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

S80

Diotec Semiconductor

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 800 mA、峰值反向电压 160 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 TO-269AA-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers
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S8006DRP

Littelfuse

主要参数包括类型 Sensitive SCRs、最大转折电流（IBO） 100 A、额定重复断态电压（VDRM） 800 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 10 uA、通态有效值电流（It RMS） 6 A、正向电压（Vf） 1.6 V，采用 DPAK-2 (TO-252-2) 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRs
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S8006DTP

Littelfuse

主要参数包括类型 SCRs、最大转折电流（IBO） 100 A、额定重复断态电压（VDRM） 800 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 10 uA、通态有效值电流（It RMS） 6 A、正向电压（Vf） 1.6 V，采用 DPAK-2 (TO-252-2) 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRs
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S8006L

Littelfuse

主要参数包括类型 SCRs、最大转折电流（IBO） 100 A、额定重复断态电压（VDRM） 800 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 10 uA、通态有效值电流（It RMS） 6 A、正向电压（Vf） 1.6 V，采用 TO-220-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRs
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S8006LTP

Littelfuse

主要参数包括VDRM 下断态漏电流（IDRM） 10 uA，采用 TO-220-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRs
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S8006NRP

Littelfuse

主要参数包括额定重复断态电压（VDRM） 800 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 10 uA、通态有效值电流（It RMS） 6 A、门极触发电压（Vgt） 1.5 V、门极触发电流（Igt） 15 mA、最大维持电流（Ih） 30 mA，采用 D2PAK-2 (TO-263-2) 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRs
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S8006NTP

Littelfuse

采用 D2PAK-2 (TO-263-2) 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRs
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S8006RTP

Littelfuse

主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 125 C、类型 Standard SCRs、额定重复断态电压（VDRM） 800 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 10 uA、通态有效值电流（It RMS） 6 A、正向电压（Vf） 1.6 V，采用 TO-220-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRs
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S8006VTP

Littelfuse

主要参数包括类型 SCRs、最大转折电流（IBO） 100 A、额定重复断态电压（VDRM） 800 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 10 uA、通态有效值电流（It RMS） 6 A、正向电压（Vf） 1.6 V，采用 TO-251-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRs
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S8008DRP

Littelfuse

主要参数包括类型 Sensitive SCRs、最大转折电流（IBO） 100 A、额定重复断态电压（VDRM） 800 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 10 uA、通态有效值电流（It RMS） 8 A、正向电压（Vf） 1.6 V，采用 DPAK-2 (TO-252-2) 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRs
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