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搜索结果

原厂资料

2 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
ZHCS500TA-2477Diodes Incorporated
  • ZHCS500TA
2023-05-15查看资料
ZLLS500TA-79Diodes Incorporated
  • ZLLS500TA
2020-05-28查看资料

第三方参考

来源:第三方数据源非原厂公告

2 个原型号
原型号

BTS50060-1TEA

Infineon Technologies

查看详情 · 1 条候选
  • BTS500601TEAAUMA2Infineon Technologies直接替代候选
原型号

LM2577SX-ADJ/S5001804

Texas Instruments

查看详情 · 1 条候选
  • LM5157QRTERQ1Texas Instruments第三方标注:厂商推荐

技术资料参考

芯片技术资料

141 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

S500

Diotec Semiconductor

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流(If) 800 mA、峰值反向电压 1 kV、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 TO-269AA-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers
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1SS5004WS

Diotec Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 100 V、最大浪涌电流 2 A、正向电流(If) 220 mA、配置 Single、恢复时间 100 ns,采用 SOD-323F 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching Diodes
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5000658-F

TE Connectivity

该型号为传感器,主要参数包括工作电源电压 4.75~5.25 V、电源电压(最大值) 5.25 V、电源电压(最小值) 4.75 V、接口类型 SPI、压力类型 Differential、输出类型 Digital, Analog,采用 DIP-10 封装。

半导体 > Sensor ICs > Board Mount Pressure Sensors
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5000659-F

TE Connectivity

该型号为传感器,主要参数包括工作电源电压 2.7~3.6 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.7 V、接口类型 SPI、压力类型 Differential、输出类型 Digital, Analog,采用 SMD-10 封装。

半导体 > Sensor ICs > Board Mount Pressure Sensors
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5000661-F

TE Connectivity

该型号为传感器,主要参数包括工作电源电压 2.7~3.6 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.7 V、接口类型 SPI、压力类型 Differential、输出类型 Digital, Analog,采用 DIP-10 封装。

半导体 > Sensor ICs > Board Mount Pressure Sensors
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BCMS50065RY01

Broadcom / Avago

该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。

半导体 > Communication & Networking ICs > Network Controller & Processor ICs
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BCMS50067RY01

Broadcom / Avago

该型号为集成电路。

半导体 > Communication & Networking ICs > Network Controller & Processor ICs
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BLC2425M10LS500PY

Ampleon

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2.4~2.5 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 65 V、漏源导通电阻(Rds On) 45.5 mOhms,采用 SOT1250-1-5 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 射频晶体管 > RF MOSFET Transistors
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BLC2425M10LS500PZ

Ampleon

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 2.4~2.5 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 65 V、漏源导通电阻(Rds On) 45.5 mOhms,采用 SOT1250-1-5 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 射频晶体管 > RF MOSFET Transistors
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BLP05H9S500PY

Ampleon

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 423~443 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 50 V、漏源导通电阻(Rds On) 120 mOhms,采用 OMP-780-4F-1-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 射频晶体管 > RF MOSFET Transistors
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