S40Q
GeneSiC Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 1200 V、正向电流（If） 40 A、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 595 A、反向电流（Ir） 10 uA，采用 DO-5 封装。
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S40QR
GeneSiC Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 1200 V、正向电流（If） 40 A、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 595 A、反向电流（Ir） 10 uA，采用 DO-5 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersBAS40Q-7-F
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、配置 Single、正向电流（If） 200 mA、重复反向电压（Vrrm） 40 V、正向电压（Vf） 1 V，采用 SOT-23-3 封装。
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