S40J
GeneSiC Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 40 A、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 595 A、反向电流（Ir） 10 uA，采用 DO-5 封装。
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S40JR
GeneSiC Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 40 A、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 595 A、反向电流（Ir） 10 uA，采用 DO-5 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersA3V28S40JTP-60
Zentel Japan
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-II-54 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAMA3V28S40JTP-60 TR
Zentel Japan
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。
半导体 > Memory ICs > DRAMA3V28S40JTP-60I
Zentel Japan
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-II-54 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAMA3V28S40JTP-60I TR
Zentel Japan
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。
半导体 > Memory ICs > DRAM