S40G
GeneSiC Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 400 V、正向电流（If） 40 A、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 595 A、反向电流（Ir） 10 uA，采用 DO-5 封装。
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原厂资料
6 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| EP4S40G2F40I1 | Altera (Intel FPGA) |
| 2020-03-30 | 查看资料 |
| EP4S40G2F40I2 | Altera (Intel FPGA) |
| 2020-03-30 | 查看资料 |
| EP4S40G2F40I3 | Altera (Intel FPGA) |
| 2020-03-30 | 查看资料 |
| EP4S40G5H40I1 | Altera (Intel FPGA) |
| 2020-03-30 | 查看资料 |
| EP4S40G5H40I2 | Altera (Intel FPGA) |
| 2020-03-30 | 查看资料 |
| EP4S40G5H40I3 | Altera (Intel FPGA) |
| 2020-03-30 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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S40GR
GeneSiC Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 400 V、正向电流（If） 40 A、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 595 A、反向电流（Ir） 10 uA，采用 DO-5 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersA3V56S40GTP-60
Zentel Japan
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-II-54 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAMA3V56S40GTP-60 TR
Zentel Japan
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。
半导体 > Memory ICs > DRAMA3V56S40GTP-60I
Zentel Japan
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-II-54 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAMA3V56S40GTP-60I TR
Zentel Japan
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。
半导体 > Memory ICs > DRAMA3V64S40GTP-60
Zentel Japan
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-II-54 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAMA3V64S40GTP-60 TR
Zentel Japan
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。
半导体 > Memory ICs > DRAMA3V64S40GTP-60I
Zentel Japan
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-II-54 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAMA3V64S40GTP-60I TR
Zentel Japan
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。
半导体 > Memory ICs > DRAM